ВесьБізнес
КМ
Зареєстровано · корисна модель

СПОСІБ ОТРИМАННЯ МАТЕРІАЛІВ НА ОСНОВІ Pb<sub>2-x</sub>Sn<sub>x</sub>GeS<sub>4-y</sub>Se<sub>y</sub> (0&#60;х&#60;2; 0&#60;у&#60;4) З КЕРОВАНИМИ СТРУКТУРНИМИ ПАРАМЕТРАМИ

Класифікація C01G21/00

Номер реєстрації№ 163454
Дата подання09 січня 2026
Реєстрація25 червня 2026
КласC01G21/00

ОФІЦІЙНІ ВІДОМОСТІ

Корисна модель

оновлено 04.07.2026
Назва
СПОСІБ ОТРИМАННЯ МАТЕРІАЛІВ НА ОСНОВІ Pb<sub>2-x</sub>Sn<sub>x</sub>GeS<sub>4-y</sub>Se<sub>y</sub> (0&#60;х&#60;2; 0&#60;у&#60;4) З КЕРОВАНИМИ СТРУКТУРНИМИ ПАРАМЕТРАМИ
Номер реєстрації
163454
Номер заявки
u202600154
Стан запису
Корисні моделі · код 2
Дата подання
09 січня 2026
Дата реєстрації
25 червня 2026
Дата публікації
Не оприлюднено
Класифікація
C01G17/00, C01G21/00

КОРОТКИЙ ОПИС

Реферат

Спосіб отримання матеріалів Pb2-xSnxGeS4-ySey (0<x<2; 0<y<4) на основі Pb2GeS4, які мають структурні переходи, включає компоновку вихідної шихти з високочистих елементарних компонентів у вакуумованих кварцових контейнерах. Використовують додавання відповідних кількостей олова та селену для модифікації катіонної та аніонної підграток, швидкість нагріву 35-40 °C/год до 1020-1040 Κ; час відпалу 4-5 год, швидкість охолодження 6-10 °C/год до 720-740 Κ, та проводять гартування у воду за кімнатної температури без розвакуумування.

Показати формулу
Спосіб отримання матеріалів Pb2-xSnxGeS4-ySey (0<x<2; 0<y<4) на основі Pb2GeS4, які мають структурні переходи, що включає компоновку вихідної шихти з високочистих елементарних компонентів у вакуумованих кварцових контейнерах, який відрізняється тим, що використовують додавання відповідних кількостей олова та селену для модифікації катіонної та аніонної підграток, швидкість нагріву 35-40 °C/год до 1020-1040 Κ; час відпалу 4-5 год, швидкість охолодження 6-10 °C/год до 720-740 Κ, та проводять гартування у воду за кімнатної температури без розвакуумування.

ПОВНИЙ ОПИС

Опис винаходу або моделі

Показати повний текст
Корисна модель належить до галузі матеріалознавства та може бути застосована для синтезу напівпровідникових матеріалів на основі шаруватих халькоґенідів, в яких частковим заміщенням атомів у катіонній або аніонній підгратках можна прогнозовано регулювати тип провідності. Така концепція є важливою в технологіях отримання матеріалів, що мають застосунок у сонячній енергетиці. Відомий спосіб отримання монокристалів Pb2GeS4, у якому сполуку синтезують або шляхом сплавлення сульфіду свинцю та дисульфіду германію в еквімолярних пропорціях, або безпосереднім сплавленням елементів у вакуумованих кварцових ампулах з тиском 0,013 Па. Процес супроводжують вібраційним перемішуванням за максимальної температури 1100 К. Після цього розплави охолоджуються у вимкненій печі, а отримані сплави гомогенізуються шляхом 200-годинного відпалу за температури 830 К. [Bletskan, D.I., Voroshilov, Y.V., Durdinets, L.M. et al. Crystal structure and specific features of formation of vibrational spectra of Pb2GeS4. Crystallogr. Rep. 48, 573-575 (2003). https://doi.org/10.1134/1.1595181]. Суттєвим недоліком цього способу є те, що синтезовані матеріали кристалізуються у моноклінній сингонії та є широкозонними (Eg=2.364 eV) [Vu, T.V., Lavrentyev, A.A., Gabrelian, B.V. et al. Electronic band-structure and optical constants of Pb2GeS4: Ab initio calculations and X-ray spectroscopy experiments. J Mater Sci: Mater Electron 29, 16088-16100 (2018). https://doi.org/10.1007/s10854-018-9698-4] Найбільш близьким є спосіб отримання Pb2GeS4 шляхом компоновки шихти з простих речовин Pb, Ge, S відповідно до стехіометричного складу, синтезом та вирощуванням монокристалів вертикальним методом Бріджмена-Стокбаргера, при цьому синтез і ріст поєднують в одній конусоподібній ампулі. Проводять попередній синтез сплаву на киснево-газовому пальнику до повного зв'язування сірки, потім в печі шахтного типу при 1070-1090 Κ протягом 10-12 год. Процес вирощування монокристалів проводять при наступних параметрах: температура в зоні розплаву - 1020-1040 Κ; температура в зоні відпалу - 720-740 Κ; градієнт температури в зоні кристалізації - 3-4 Κ/мм; швидкість росту - 5-6 мм/добу; час відпалу - 200-240 годин; швидкість охолодження - 100-120 Κ/добу [Парасюк О.В., Юрченко О.М., Когут Ю.М. Спосіб отримання монокристалів Pb2GeS4. Патент на корисну модель № 127739 (заявка № u201800472)]. Недоліком цього способу є неможливість отримання порошкоподібних зразків з шаруватою кубічною та моноклінною структурою. Також для синтезу порошкоподібних матеріалів такий спосіб є енергетично затратним. Цю проблему можна вирішити шляхом внесення змін у швидкість нагріву, час витримки та додаванням відповідних кількостей олова та селену для модифікації катіонної та аніонної підграток в структурі Pb2GeS4. Задачею, на вирішення якої спрямована корисна модель, що заявляється, є отримання матеріалів Pb2-xSnxGeS4-ySey (0<x<2; 0<y<4) на основі Pb2GeS4, що мають структурні переходи та зміни типу провідності за рахунок модифікацій в катіонній та аніонній підгратках Pb2GeS4. Поставлену задачу можна вирішити, враховуючи індивідуальну поведінку кожного з компонентів в температурному діапазоні, що передбачає метод синтезу. Зокрема перевагами способу за корисною моделлю є врахування ступеня подрібненості компонентів, міри вакуумованості, які відіграють ключову роль в отриманні гомогенних зразків, зважаючи на проходження твердофазних реакцій між компонентами, а також унормована швидкість нагріву, час витримки та можливість розшарування на кубічну та моноклінну модифікацію за рахунок модифікації катіонної та аніонної підграток Pb2GeS4. Спосіб отримання матеріалів Pb2-xSnxGeS4-ySey (0<x<2; 0<y<4) на основі Pb2GeS4, які мають структурні переходи, який включає компоновку вихідної шихти з високочистих елементарних компонентів у вакуумованих кварцових контейнерах відрізняється тим, що використовують додавання відповідних кількостей олова та селену для модифікації катіонної та аніонної підграток, швидкість нагріву 35-40 °C/год до 1020-1040 Κ; час відпалу 4-5 год, швидкість охолодження 6-10 °C/год до 720-740 Κ та проводять гартування у воду за кімнатної температури без розвакуумування. Перевагою корисної моделі є отримання цілісних однофазних зразків, що мають шарувату будову та кристалізуються у моноклінній або кубічній сингонії залежно від кількості доданого олова або селену. Такий підхід дозволяє отримувати матеріали із прогнозованими фізико-хімічними властивостями. Приклад виконання Для синтезу сплавів Pb2-хSnхGeS4 використовують прості речовини високого ступеня чистоти: Pb - 99,99 мас. %, Sn - 99,99 мас. %, Ge - 99,999 мас. %, S - 99,99 мас. %, S - 99,99 мас. %. Розраховані кількості вихідних компонентів зважують з точністю ± 0,00005 г на терезах ВЛР-200. Загальна маса наважки 1 г. Загрузку у кварцовий контейнер здійснюють за допомогою кальки для запобігання прилипання частинок речовини до внутрішньої поверхні контейнера у верхній його частині. Вакуумують контейнер до тиску 10-3 Па і герметизують його на киснево-газовому пальнику. Синтез здійснюють в електричній муфельній печі з програмним управлінням технологічними процесами МП-30 згідно такого режиму: швидкість нагріву 35-40 °C/год. до 1020-1040 Κ; час відпалу 4-5 год., швидкість охолодження 6-10 °C/год. до 720-740 Κ; та проводять гартування у воду за кімнатної температури без розвакуумування. За результатами раманівської спектроскопії та рентгеноструктурного аналізу підтверджено, що збільшення частки олова призводить до нашарування моноклінної та кубічної фаз і при х = 0.5 отримується повністю кубічна фаза. Перевагою способу за корисною моделлю є те, що він дозволяє отримати цілісні однофазні зразки, що мають шарувату будову та кристалізуються у моноклінній або кубічній сингонії в залежності від кількості доданого олова або селену. Такий підхід дозволяє отримувати матеріли із прогнозованими фізико-хімічними властивостями.

ОФІЦІЙНІ ФАЙЛИ

Документи реєстрового запису

5

УЧАСНИКИ

Власники, заявники та автори

10

Власники прав

ВН
ВОЛИНСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ЛЕСІ УКРАЇНКИЄДРПОУ 02125102 · Україна
Компанія →
LU
LESYA UKRAINKA VOLYN NATIONAL UNIVERSITYЄДРПОУ 02125102 · Україна
Компанія →

Заявники

ВН
ВОЛИНСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ІМЕНІ ЛЕСІ УКРАЇНКИЄДРПОУ 02125102 · Україна
Компанія →
LU
LESYA UKRAINKA VOLYN NATIONAL UNIVERSITYЄДРПОУ 02125102 · Україна
Компанія →

Винахідники

МГ
Мирончук Галина ЛеонідівнаУкраїна
MH
Myronchuk Halyna LeonidivnaУкраїна
СО
Смітюх Олександр ВікторовичУкраїна
SO
Smitiukh Oleksandr ViktorovychУкраїна
МО
Марчук Олег ВасильовичУкраїна
MO
Marchuk Oleh VasylovychУкраїна

Адреси учасників показані лише до рівня країни, області та населеного пункту — без вулиці й номера будинку.

ДІЛОВОДСТВО ТА БІБЛІОГРАФІЯ

Повна історія реєстрового запису

  1. Патент зареєстровано
  2. Підготовка до державної реєстрації та публікації
  3. Очікування документа про сплату державного мита
  4. Кваліфікаційна експертиза
  5. Очікування клопотання про проведення кваліфікаційної експертизи
  6. Формальна експертиза
  7. Встановлення дати подання
  8. Реєстрація первинних документів, попередня експертиза та введення відомостей до бази даних
Вид документаI_12
Патент на корисну модель
Код виду документаI_13
U
Установа публікаціїI_19
UA
Дата початку дії правI_24
2026-06-25
Офіційний бюлетеньI_45_bul_str
25/2026
Додаткові бібліографічні відомостіI_98
м. Луцьк

ПЕРШОДЖЕРЕЛО

Офіційний запис

Інформація має довідковий характер. Для юридично значущої перевірки використовуйте офіційний реєстр.